インテルとSTマイクロの合弁、ハイニックス半導体とNAND開発で提携=関係筋

2008年 08月 6日 14:08 JST
 

 [台北 6日 ロイター] 米半導体大手インテル(INTC.O: 株価, 企業情報, レポート)と欧州の同業STマイクロエレクトロニクス(STM.PA: 株価, 企業情報, レポート)が今年設立した合弁会社「Numonyx(ニューモニクス)」と韓国のハイニックス半導体(000660.KS: 株価, 企業情報, レポート)は、NAND型フラッシュメモリー(電気的に一括消去・再書き込み可能なメモリー)の開発で新たな提携契約を結んだ。関係筋が6日、匿名を条件に明らかにした。

 それによると、ニューモニクスとハイニックスはNAND型フラッシュメモリーの共同開発で、5年契約を締結した。

 ニューモニクスは、主にNOR型フラッシュメモリーの生産を手掛けており、NAND型フラッシュメモリーの生産量は現在、全体の約10%程度となっているが、関係筋によると、同社は、NAND型フラッシュメモリーが世界で急激に台頭していることを受け、最終的にはNANDとNORの生産比率をほぼ五分五分に引き上げたい意向を示している。

 
 
 
 
 
 

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