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オキサイド---大幅に反発、半導体材料の成長に適した新材料単結晶基板「SAM」のサンプル出荷開始へ


*11:12JST
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大幅に反発。半導体材料の窒化ガリウム(GaN)薄膜単結晶の成長に適した新材料単結晶基板「SAM」のサンプル出荷を30日から開始すると発表している。GaN薄膜単結晶は、可視光レーザやパワーデバイス用の半導体材料としての研究開発が進み、一部で実用化が始まっている。SAM上に成長させたGaNは、従来よりも高歩留まりで完全性の高い膜を構成することが原理的に可能になるとしている。
《FA》

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