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日本が次世代半導体の研究開発拠点、米国との共同視野=報道

 7月29日、 日本経済新聞とNHKは、日本が次世代半導体の研究拠点を整備すると報じた。写真は米国と日本の旗。ニューヨークで2016年11月撮影(2022年 ロイター/Andrew Kelly)

[東京 29日 ロイター] - 日本経済新聞とNHKは29日、日本が次世代半導体の研究拠点を整備すると報じた。NHKによると、米国との共同開発を視野に、29日に両国が開く外務・経済担当閣僚協議(経済版2プラス2)で日本側が表明する。

日経によると、年内に拠点を新設し、2025年にも日本で量産する態勢を整備。半導体の主要供給源である台湾を巡って有事が起きても一定量を調達できるようにするという。研究するのは回線幅2ナノ(ナノは10億分の1)メートル相当の半導体で、日本側には10年で1兆円を研究開発費に充てる案があるとしている。

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