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訂正-韓国SKハイニックス、238層NANDメモリー開発と発表

 8月3日、韓国半導体大手SKハイニックスは、パソコンのデータ保存向けに同社最先端の238層NAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した。写真は同社のロゴ。韓国・城南で2016年4月撮影(2022年 ロイター/Kim Hong-Ji)

(最終段落のキオクシアの「8.9%」を「18.9%」に訂正します)

[ソウル 3日 ロイター] - 韓国半導体大手SKハイニックスは3日、パソコンのデータ保存向けに同社最先端の238層NAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した。今後はスマートフォンやサーバーにも供給する。来年上半期の量産開始を計画している。

SKによると新メモリーは最小サイズで、これまでの世代に比べデータ転送速度が50%改善する。データ読み取りのエネルギー消費量を21%削減することで電力消費面も向上するという。

NAND型フラッシュメモリーでは先週、米マイクロン・テクノロジーが232層の製品出荷を始めたと発表していた。

トレンドフォースのデータによると、今年第1・四半期のNAND型フラッシュメモリー市場シェアはSKハイニックスが、米インテルから買収した同事業ソリダイムとの合計で18%。サムスン電子の35.3%、キオクシアがの18.9%(訂正)に後れを取っている。

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