October 21, 2015 / 12:19 PM / 3 years ago

東芝、3次元NANDメモリーを16年1―3月に量産 四日市工場で

 10月21日、東芝は記憶素子を積層化した3次元(3D)構造の「NAND型フラッシュメモリー」の量産を2016年1―3月に開始すると発表した。写真は東芝本社。1日撮影(2015年 ロイター/Toru Hanai)

[東京 21日 ロイター] - 東芝 (6502.T)は21日、記憶素子を積層化した3次元(3D)構造の「NAND型フラッシュメモリー」の量産を2016年1―3月に開始すると発表した。四日市工場(三重県四日市市)の第2棟で量産する。

NAND型フラッシュメモリーは、スマートフォン(スマホ)や企業のデータセンターのデータ保存に使われる東芝の半導体の主力製品。記憶容量を増やすため、素子を垂直に積み上げる新技術の3次元メモリーは9月から少量生産でサンプル出荷を開始していたが、顧客に需要に応じて量産に踏み切る。

同日、四日市工場の製造装置を折半投資している米サンディスクSNDK.Oと、第2棟の設備投資でも折半する契約を締結したと発表した。第2棟は3次元メモリーの専用棟で、来年1―3月の量産開始に向けて設備を導入する。

設備投資額は非公表だが、東芝は半導体事業全体で年間2000億円の投資を計画。大半を四日市工場の新設備に充てることとしており、サンディスクの投資分と合わせると4000億円規模になる見込み。

四日市工場の第2棟は昨年9月から建設を開始。このほど一部が完成したことで設備を導入して量産に備える。来年6月までに建屋を拡張して全体を完成させる計画で、スマホやデータセンターなどの需要に応じて追加設備を導入し、3次元メモリーの一段の増産を図る。

村井令二

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